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产品概览
Digi-Key 零件编号 SIR470DP-T1-GE3CT-ND
现有数量 5,938
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SIR470DP-T1-GE3

描述 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 15 周
文档与媒体
数据列表 SIR470DP
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 组件/产地 Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
产品属性 选取全部项目
类别

分立半导体产品

家庭

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET (Metal Oxide)
漏源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2.3 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 155nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 5660pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) *
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 SIR470DP-T1-GE3CT

01:17:07 12/10/2016

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 4.36000 4.36
10 3.90700 39.07
25 3.68600 92.15
100 3.14030 314.03
250 2.94876 737.19
500 2.58016 1,290.08
1,000 2.13785 2,137.85

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : SIR470DP-T1-GE3TR-ND
  • 最低订购数量: 3,000
  • 现有数量: 3,000 - 立即发货
  • 单价: 1.93243
  • Digi-Reel® ? : SIR470DP-T1-GE3DKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 5,938 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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