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产品概览
Digi-Key 零件编号 SIHB33N60E-GE3-ND
现有数量 1,018
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SIHB33N60E-GE3

描述 MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 19 周
产品属性 选取全部项目
类别

分立半导体产品

家庭

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商

Vishay Siliconix

系列 -
包装 ? 散装 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET (Metal Oxide)
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 33A(Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 99 毫欧 @ 16.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 150nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 3508pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) *
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
 
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其它资源
标准包装 ? 1,000
其它名称 SIHB33N60EGE3

08:10:34 12/11/2016

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 9.25000 9.25
10 8.31200 83.12
25 7.85760 196.44
100 6.80950 680.95
250 6.46032 1,615.08
500 5.79682 2,898.41
1,000 4.88888 4,888.88
2,500 4.64444 11,611.10

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