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产品概览
Digi-Key 零件编号 SIB452DK-T1-GE3CT-ND
现有数量
制造商

制造商零件编号

SIB452DK-T1-GE3

描述 MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
扩展描述 N-Channel 190V 1.5A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 19 周
文档与媒体
数据列表 SIB452DK
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 190V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 135pF @ 50V
Vgs(最大值) ±16V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.4W(Ta),13W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2.4 欧姆 @ 500mA,4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® SC-75-6L 单
封装/外壳 PowerPAK® SC-75-6L
 
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标准包装 ? 1
其它名称 SIB452DK-T1-GE3CT

09:08:45 3/25/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.26000 1.26
10 1.10700 11.07
25 1.03960 25.99
100 0.84870 84.87
250 0.78840 197.10
500 0.67096 335.48
1,000 0.53677 536.77

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
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