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产品概览
Digi-Key 零件编号 SIA445EDJ-T1-GE3CT-ND
现有数量 1,651
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SIA445EDJ-T1-GE3

描述 MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
扩展描述 P-Channel 20V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 16 周
文档与媒体
数据列表 SiA445EDJ
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 组件/产地 Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 72nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2130pF @ 10V
Vgs(最大值) ±12V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.5W(Ta),19W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 16.5 毫欧 @ 7A,4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® SC-70-6 单
封装/外壳 PowerPAK® SC-70-6
 
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标准包装 ? 1
其它名称 SIA445EDJ-T1-GE3CT

20:01:23 3/22/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.02000 1.02
10 0.89600 8.96
25 0.84240 21.06
100 0.68760 68.76
250 0.63856 159.64
500 0.54348 271.74
1,000 0.43478 434.78

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • Digi-Reel® ? : SIA445EDJ-T1-GE3DKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 1,651 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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