添加至偏好
产品概览
Digi-Key 零件编号 SI8808DB-T2-E1CT-ND
现有数量 12,950
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SI8808DB-T2-E1

描述 MOSFET N-CH 30V MICROFOOT
扩展描述 N-Channel 30V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 15 周
文档与媒体
数据列表 Si8808DB
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 15V
Vgs(最大值) ±8V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 95 毫欧 @ 1A,4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 4-Microfoot
封装/外壳 4-UFBGA
 
您可能还对以下元器件感兴趣
其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 SI8808DB-T2-E1CT

09:22:14 3/25/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 0.71000 0.71
10 0.61100 6.11
25 0.57080 14.27
100 0.45660 45.66
250 0.42392 105.98
500 0.35872 179.36
1,000 0.27718 277.18

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : SI8808DB-T2-E1TR-ND
  • 最低订购数量: 3,000
  • 现有数量: 12,000 - 立即发货
  • 单价: 0.24536
  • Digi-Reel® ? : SI8808DB-T2-E1DKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 12,950 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
请发送您的反馈意见