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产品概览
Digi-Key 零件编号 SI8466EDB-T2-E1CT-ND
现有数量 7,587
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SI8466EDB-T2-E1

描述 MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT
扩展描述 N-Channel 8V 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 15 周
文档与媒体
数据列表 SI8466EDB
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
特色产品 N-Channel 8 V (D-S) MOSFETs
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 8V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.2V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 4V
Vgs(最大值) ±5V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 780mW(Ta),1.8W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 43 毫欧 @ 2A,4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 4-Microfoot
封装/外壳 4-UFBGA,WLCSP
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 SI8466EDB-T2-E1CT

22:12:31 2/19/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 0.79000 0.79
10 0.66900 6.69
25 0.62360 15.59
100 0.49900 49.90
250 0.46340 115.85
500 0.39208 196.04
1,000 0.30298 302.98

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : SI8466EDB-T2-E1TR-ND
  • 最低订购数量: 3,000
  • 现有数量: 6,000 - 立即发货
  • 单价: 0.26820
  • Digi-Reel® ? : SI8466EDB-T2-E1DKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 7,587 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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