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产品概览
Digi-Key 零件编号 SI7956DP-T1-GE3CT-ND
现有数量 25,610
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SI7956DP-T1-GE3

描述 MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 15 周
文档与媒体
数据列表 SI7956DP
产品属性 选取全部项目
类别

分立半导体产品

家庭

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss) 150V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 105 毫欧 @ 4.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) -
功率 - 最大值 1.4W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8 Dual
 
其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 SI7956DP-T1-GE3CT

16:33:10 12/4/2016

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 4.89000 4.89
10 4.39700 43.97
25 4.15600 103.90
100 3.60170 360.17
250 3.41700 854.25
500 3.06606 1,533.03
1,000 2.58582 2,585.82

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : SI7956DP-T1-GE3TR-ND
  • 最低订购数量: 3,000
  • 现有数量: 21,000 - 立即发货
  • 单价: 2.38498
  • Digi-Reel® ? : SI7956DP-T1-GE3DKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 25,610 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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