添加至偏好
产品概览
Digi-Key 零件编号 SI7615ADN-T1-GE3CT-ND
现有数量
制造商

制造商零件编号

SI7615ADN-T1-GE3

描述 MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8S
扩展描述 P-Channel 20V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 26 周
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 183nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5590pF @ 10V
Vgs(最大值) ±12V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.7W(Ta),52W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.4 毫欧 @ 20A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8
 
您可能还对以下元器件感兴趣
其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 SI7615ADN-T1-GE3CT

20:49:00 3/25/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.19000 1.19
10 1.05200 10.52
25 0.98840 24.71
100 0.80640 80.64
250 0.74896 187.24
500 0.63742 318.71
1,000 0.50994 509.94

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
请发送您的反馈意见