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产品概览
Digi-Key 零件编号 SI7450DP-T1-E3CT-ND
现有数量
制造商

制造商零件编号

SI7450DP-T1-E3

描述 MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
扩展描述 N-Channel 200V 3.2A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 15 周
文档与媒体
数据列表 SI7450DP
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
产品目录页面 1544 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 42nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.9W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 80 毫欧 @ 4A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 SI7450DP-T1-E3CT

19:36:38 3/27/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 3.43000 3.43
10 3.08500 30.85
25 2.91040 72.76
100 2.47960 247.96
250 2.32824 582.06
500 2.03720 1,018.60
1,000 1.68797 1,687.97

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : SI7450DP-T1-E3TR-ND
  • 最低订购数量: 3,000
  • 现有数量: 0
  • 单价: 1.52579
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