添加至偏好
产品概览
Digi-Key 零件编号 SI7117DN-T1-E3CT-ND
现有数量 2,912
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SI7117DN-T1-E3

描述 MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8
扩展描述 P-Channel 150V 2.17A (Tc) 3.2W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 15 周
文档与媒体
数据列表 SI7117DN
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
产品目录页面 1545 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 150V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.17A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.2W(Ta),12.5W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.2 欧姆 @ 500mA,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8
 
您可能还对以下元器件感兴趣
其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 SI7117DN-T1-E3CT

05:41:43 1/24/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.60000 1.60
10 1.43000 14.30
25 1.35640 33.91
100 1.11420 111.42
250 1.04152 260.38
500 0.92042 460.21
1,000 0.72666 726.66

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : SI7117DN-T1-E3TR-ND
  • 最低订购数量: 3,000
  • 现有数量: 0
  • 单价: 0.65846
  • Digi-Reel® ? : SI7117DN-T1-E3DKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 2,912 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
请发送您的反馈意见