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产品概览
Digi-Key 零件编号 SI6423DQ-T1-GE3CT-ND
现有数量 3,498
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SI6423DQ-T1-GE3

描述 MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
扩展描述 P-Channel 12V 8.2A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 15 周
文档与媒体
数据列表 Si6423DQ
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 400µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -
Vgs(最大值) ±8V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.05W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 9.5A,4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-TSSOP
封装/外壳 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
 
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标准包装 ? 1
其它名称 SI6423DQ-T1-GE3CT

15:12:18 3/25/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 2.82000 2.82
10 2.53400 25.34
25 2.39040 59.76
100 2.03650 203.65
250 1.91224 478.06
500 1.67322 836.61
1,000 1.38638 1,386.38

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • Digi-Reel® ? : SI6423DQ-T1-GE3DKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 3,498 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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