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产品概览
Digi-Key 零件编号 SI4488DY-T1-E3CT-ND
现有数量 1,223
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SI4488DY-T1-E3

描述 MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
扩展描述 N-Channel 150V 3.5A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 15 周
文档与媒体
数据列表 SI4488DY
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
产品目录页面 1544 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 150V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.56W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 5A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 SI4488DY-T1-E3CT

19:01:32 3/25/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 2.67000 2.67
10 2.39600 23.96
25 2.26000 56.50
100 1.92570 192.57
250 1.80820 452.05
500 1.58220 791.10
1,000 1.31098 1,310.98

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : SI4488DY-T1-E3TR-ND
  • 最低订购数量: 2,500
  • 现有数量: 0
  • 单价: 1.18501
  • Digi-Reel® ? : SI4488DY-T1-E3DKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 1,223 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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