添加至偏好
产品概览
Digi-Key 零件编号 SI4425DDY-T1-GE3CT-ND
现有数量
制造商

制造商零件编号

SI4425DDY-T1-GE3

描述 MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC
扩展描述 P-Channel 30V 19.7A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 26 周
文档与媒体
数据列表 SI4425DDY
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 组件/产地 Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19.7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 80nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2610pF @ 15V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),5.7W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 9.8 毫欧 @ 13A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
 
您可能还对以下元器件感兴趣
其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 SI4425DDY-T1-GE3CT

09:48:52 2/22/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.40000 1.40
10 1.23000 12.30
25 1.15520 28.88
100 0.94290 94.29
250 0.87572 218.93
500 0.74528 372.64
1,000 0.59623 596.23

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
请发送您的反馈意见