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产品概览
Digi-Key 零件编号 SI4090DY-T1-GE3CT-ND
现有数量 1,322
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SI4090DY-T1-GE3

描述 MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC
扩展描述 N-Channel 100V 19.7A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 15 周
文档与媒体
数据列表 Si4090DY
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
产品属性 选取全部项目
Categories
制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19.7A(Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 69nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 2410pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.5W(Ta),7.8W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 10 毫欧 @ 15A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 SI4090DY-T1-GE3CT

10:20:48 1/18/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 2.30000 2.30
10 2.05600 20.56
25 1.95040 48.76
100 1.60240 160.24
250 1.49788 374.47
500 1.32372 661.86
1,000 1.04502 1,045.02

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • Digi-Reel® ? : SI4090DY-T1-GE3DKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 1,322 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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