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产品概览
Digi-Key 零件编号 SI3460BDV-T1-E3CT-ND
现有数量 12,191
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SI3460BDV-T1-E3

描述 MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
扩展描述 N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 15 周
文档与媒体
数据列表 SI3460BDV
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
EDA / CAD 模型 ? 从 Ultra Librarian 下载
产品目录页面 1544 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 24nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 10V
Vgs(最大值) ±8V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2W(Ta),3.5W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 27 毫欧 @ 5.1A,4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 6-TSOP
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
 
其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 SI3460BDV-T1-E3CT

06:28:03 3/26/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.35000 1.35
10 1.19000 11.90
25 1.11800 27.95
100 0.91250 91.25
250 0.84752 211.88
500 0.72128 360.64
1,000 0.57703 577.03

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : SI3460BDV-T1-E3TR-ND
  • 最低订购数量: 3,000
  • 现有数量: 12,000 - 立即发货
  • 单价: 0.50770
  • Digi-Reel® ? : SI3460BDV-T1-E3DKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 12,191 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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