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产品概览
Digi-Key 零件编号 SI2365EDS-T1-GE3CT-ND
现有数量 67,256
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SI2365EDS-T1-GE3

描述 MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236
扩展描述 P-Channel 20V 5.9A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount TO-236
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 16 周
文档与媒体
数据列表 SI2365EDS
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 组件/产地 Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 8V
Vds 时的输入电容 (Ciss)(最大值) -
Vgs(最大值) ±8V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1W(Ta),1.7W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 32 毫欧 @ 4A,4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-236
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 SI2365EDS-T1-GE3CT

11:48:14 1/21/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 0.61000 0.61
10 0.46700 4.67
25 0.42080 10.52
100 0.29080 29.08
250 0.24500 61.25
500 0.19904 99.52
1,000 0.15312 153.12

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : SI2365EDS-T1-GE3TR-ND
  • 最低订购数量: 3,000
  • 现有数量: 66,000 - 立即发货
  • 单价: 0.13378
  • Digi-Reel® ? : SI2365EDS-T1-GE3DKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 67,256 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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