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产品概览
Digi-Key 零件编号 SI2337DS-T1-GE3CT-ND
现有数量 2,544
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SI2337DS-T1-GE3

描述 MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
扩展描述 P-Channel 80V 2.2A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 15 周
文档与媒体
数据列表 SI2337DS
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
产品属性 选取全部项目
Categories
制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 80V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 17nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 500pF @ 40V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 760mW(Ta),2.5W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 270 毫欧 @ 1.2A,10V
工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
 
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标准包装 ? 1
其它名称 SI2337DS-T1-GE3CT

20:58:15 1/18/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.56000 1.56
10 1.38600 13.86
25 1.31560 32.89
100 1.08070 108.07
250 1.01020 252.55
500 0.89274 446.37
1,000 0.70478 704.78

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • Digi-Reel® ? : SI2337DS-T1-GE3DKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 2,544 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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