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产品概览
Digi-Key 零件编号 SI2318DS-T1-E3CT-ND
现有数量 55,321
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SI2318DS-T1-E3

描述 MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 16 周
文档与媒体
数据列表 SI2318DS
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
产品目录页面 1543 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别

分立半导体产品

家庭

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET (Metal Oxide)
漏源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 3.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 540pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) *
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 SI2318DS-T1-E3CT

07:18:49 12/10/2016

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 0.82000 0.82
10 0.69800 6.98
25 0.65200 16.30
100 0.52180 52.18
250 0.48444 121.11
500 0.40992 204.96
1,000 0.31676 316.76

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : SI2318DS-T1-E3TR-ND
  • 最低订购数量: 3,000
  • 现有数量: 54,000 - 立即发货
  • 单价: 0.28039
  • Digi-Reel® ? : SI2318DS-T1-E3DKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 55,321 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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