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产品概览
Digi-Key 零件编号 SI2312CDS-T1-GE3CT-ND
现有数量 20,383
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SI2312CDS-T1-GE3

描述 MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
扩展描述 N-Channel 20V 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 15 周
文档与媒体
数据列表 SI2312CDS
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 18nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 865pF @ 10V
Vgs(最大值) ±8V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),2.1W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 31.8 毫欧 @ 5A,4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 SI2312CDS-T1-GE3CT

11:27:29 2/24/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 0.68000 0.68
10 0.57700 5.77
25 0.53840 13.46
100 0.43100 43.10
250 0.40016 100.04
500 0.33864 169.32
1,000 0.26167 261.67

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : SI2312CDS-T1-GE3TR-ND
  • 最低订购数量: 3,000
  • 现有数量: 18,000 - 立即发货
  • 单价: 0.23162
  • Digi-Reel® ? : SI2312CDS-T1-GE3DKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 20,408 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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