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产品概览
Digi-Key 零件编号 SI2308BDS-T1-GE3CT-ND
现有数量 46,514
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SI2308BDS-T1-GE3

描述 MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
扩展描述 N-Channel 60V 2.3A (Tc) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 16 周
文档与媒体
数据列表 SI2308BDS
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categories
制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A(Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 6.8nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 190pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.09W(Ta),1.66W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 156 毫欧 @ 1.9A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 SI2308BDS-T1-GE3CT

08:33:46 1/18/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 0.68000 0.68
10 0.58400 5.84
25 0.54440 13.61
100 0.43560 43.56
250 0.40440 101.10
500 0.34220 171.10
1,000 0.26442 264.42

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : SI2308BDS-T1-GE3TR-ND
  • 最低订购数量: 3,000
  • 现有数量: 45,000 - 立即发货
  • 单价: 0.23406
  • Digi-Reel® ? : SI2308BDS-T1-GE3DKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 46,514 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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