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产品概览
Digi-Key 零件编号 SI2301CDS-T1-GE3CT-ND
现有数量 111,533
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SI2301CDS-T1-GE3

描述 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
扩展描述 P-Channel 20V 3.1A (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 15 周
文档与媒体
数据列表 SI2301CDS
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
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产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V
Vds 时的输入电容 (Ciss)(最大值) 405pF @ 10V
Vgs(最大值) ±8V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 860mW(Ta),1.6W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 112 毫欧 @ 2.8A,4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 SI2301CDS-T1-GE3CT

12:44:29 1/22/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 0.60000 0.60
10 0.44500 4.45
25 0.40080 10.02
100 0.27700 27.70
250 0.23332 58.33
500 0.18958 94.79
1,000 0.14582 145.82

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : SI2301CDS-T1-GE3TR-ND
  • 最低订购数量: 3,000
  • 现有数量: 111,000 - 立即发货
  • 单价: 0.12741
  • Digi-Reel® ? : SI2301CDS-T1-GE3DKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 111,533 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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