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产品概览
Digi-Key 零件编号 SI1021R-T1-GE3CT-ND
现有数量 10,026
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SI1021R-T1-GE3

描述 MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A
扩展描述 P-Channel 60V 190mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-75A
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 15 周
文档与媒体
数据列表 SI1021R
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 190mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.7nC @ 15V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 23pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 250mW(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4 欧姆 @ 500mA,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SC-75A
封装/外壳 SC-75A
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 SI1021R-T1-GE3CT

18:11:35 3/26/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 0.67000 0.67
10 0.56600 5.66
25 0.52840 13.21
100 0.42260 42.26
250 0.39252 98.13
500 0.33214 166.07
1,000 0.25664 256.64

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : SI1021R-T1-GE3TR-ND
  • 最低订购数量: 3,000
  • 现有数量: 9,000 - 立即发货
  • 单价: 0.22719
  • Digi-Reel® ? : SI1021R-T1-GE3DKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 10,026 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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