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产品概览
Digi-Key 零件编号 IRLL110PBFCT-ND
现有数量 6,615
可立即发货
制造商

制造商零件编号

IRLL110TRPBF

描述 MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
扩展描述 N-Channel 100V 1.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 13 周
文档与媒体
数据列表 IRLL110
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 设计/规格 Wire/Mold Compound Update 31/Aug/2015
产品目录页面 1428 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Vishay Siliconix

系列 -
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.1nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V
Vgs(最大值) ±10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2W(Ta),3.1W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 540 毫欧 @ 900mA,5V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-223
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 *IRLL110TRPBF
IRLL110PBFCT

00:02:47 2/26/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.02000 1.02
10 0.89800 8.98
25 0.84360 21.09
100 0.68870 68.87
250 0.63964 159.91
500 0.54438 272.19
1,000 0.43550 435.50

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : IRLL110PBFTR-ND
  • 最低订购数量: 2,500
  • 现有数量: 2,500 - 立即发货
  • 单价: 0.38318
  • Digi-Reel® ? : IRLL110PBFDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 6,615 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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