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产品概览
Digi-Key 零件编号 IRLD014PBF-ND
现有数量 7,211
可立即发货
制造商

制造商零件编号

IRLD014PBF

描述 MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
扩展描述 N-Channel 60V 1.7A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 9 周
文档与媒体
数据列表 IRLD014
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
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产品目录页面 1431 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Vishay Siliconix

系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.4nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V
Vgs(最大值) ±10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.3W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 200 毫欧 @ 1A,5V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm)
 
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其它资源
标准包装 ? 100
其它名称 *IRLD014PBF

00:59:23 2/20/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.37000 1.37
10 1.22100 12.21
25 1.15840 28.96
100 0.95150 95.15
250 0.88944 222.36
500 0.78602 393.01
1,000 0.62055 620.55
2,500 0.57918 1,447.95
5,000 0.55022 2,751.10

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