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产品概览
Digi-Key 零件编号 IRFD110PBF-ND
现有数量 6,058
可立即发货
制造商

制造商零件编号

IRFD110PBF

描述 MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 9 周
文档与媒体
数据列表 IRFD110
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
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产品目录页面 1431 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别

分立半导体产品

家庭

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商

Vishay Siliconix

系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 540 毫欧 @ 600mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 8.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 180pF @ 25V
功率 - 最大值 1.3W
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
 
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其它资源
标准包装 ? 100
其它名称 *IRFD110PBF

22:55:45 12/2/2016

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.13000 1.13
10 0.99100 9.91
25 0.93120 23.28
100 0.76010 76.01
250 0.70604 176.51
500 0.60088 300.44
1,000 0.48071 480.71
2,500 0.43564 1,089.11
5,000 0.40560 2,027.99

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