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产品概览
Digi-Key 零件编号 IRF730PBF-ND
现有数量 5,504
可立即发货
制造商

制造商零件编号

IRF730PBF

描述 MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
扩展描述 N-Channel 400V 5.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 12 周
文档与媒体
数据列表 Packaging Information
IRF730,SiHF730
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 组件/产地 PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
EDA / CAD 模型 ? 从 Ultra Librarian 下载
产品目录页面 1429 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Vishay Siliconix

系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 400V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V
Vds 时的输入电容 (Ciss)(最大值) 700pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 74W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 3.3A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
 
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标准包装 ? 50
其它名称 *IRF730PBF

02:42:26 1/22/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.86000 1.86
10 1.66600 16.66
25 1.58120 39.53
100 1.29880 129.88
250 1.21412 303.53
500 1.07294 536.47
1,000 0.84706 847.06
2,500 0.79059 1,976.47
5,000 0.75106 3,755.30

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