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产品概览
Digi-Key 零件编号 IRF640PBF-ND
现有数量 4,691
可立即发货
制造商

制造商零件编号

IRF640PBF

描述 MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
扩展描述 N-Channel 200V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 11 周
文档与媒体
数据列表 IRF640, SiHF640
Packaging Information
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 组件/产地 SIL-099-2014-Rev-0 12/Nov/2014
EDA / CAD 模型 ? 从 Ultra Librarian 下载
产品目录页面 1429 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Vishay Siliconix

系列 -
包装 ? 散装 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V
Vds 时的输入电容 (Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 125W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
 
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标准包装 ? 50
其它名称 *IRF640PBF

20:41:52 1/20/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 2.36000 2.36
10 2.11100 21.11
25 2.00400 50.10
100 1.64610 164.61
250 1.53876 384.69
500 1.35986 679.93
1,000 1.07357 1,073.57
2,500 1.00200 2,505.00
5,000 0.95190 4,759.50

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