添加至偏好
产品概览
Digi-Key 零件编号 IRF610PBF-ND
现有数量 4,064
可立即发货
制造商

制造商零件编号

IRF610PBF

描述 MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
扩展描述 N-Channel 200V 3.3A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 11 周
文档与媒体
数据列表 IRF610PBF
Packaging Information
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 组件/产地 PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
EDA / CAD 模型 ? 从 Ultra Librarian 下载
产品目录页面 1429 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Vishay Siliconix

系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 36W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.5 欧姆 @ 2A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
 
您可能还对以下元器件感兴趣
其它资源
标准包装 ? 50
其它名称 *IRF610PBF

08:51:18 3/25/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.02000 1.02
10 0.90300 9.03
25 0.84800 21.20
100 0.69220 69.22
250 0.64300 160.75
500 0.54720 273.60
1,000 0.43775 437.75
2,500 0.39672 991.79
5,000 0.36936 1,846.78

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

请发送您的反馈意见