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产品概览
Digi-Key 零件编号 TPW4R50ANHL1QCT-ND
现有数量 403
可立即发货
制造商

制造商零件编号

TPW4R50ANH,L1Q

描述 MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
扩展描述 N-Channel 100V 92A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 12 周
文档与媒体
数据列表 TPW4R50ANH
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列 U-MOSVIII-H
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 92A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 58nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 50V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 800mW(Ta),142W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.5 毫欧 @ 46A, 10V
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-DSOP Advance
封装/外壳 8-PowerWDFN
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 TPW4R50ANHL1QCT

02:09:07 2/24/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 2.74000 2.74
10 2.47700 24.77
25 2.21160 55.29
100 1.99050 199.05
250 1.76924 442.31
500 1.54808 774.04
1,000 1.28270 1,282.70
2,500 1.19424 2,985.60

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : TPW4R50ANHL1QTR-ND
  • 最低订购数量: 5,000
  • 现有数量: 0
  • 单价: 1.11652
  • Digi-Reel® ? : TPW4R50ANHL1QDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 403 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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