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产品概览
Digi-Key 零件编号 TK62N60XS1F-ND
现有数量 453
可立即发货
制造商

制造商零件编号

TK62N60X,S1F

描述 MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
扩展描述 N-Channel 600V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-247
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 12 周
文档与媒体
数据列表 TK62N60X
特色产品 DTMOS4 High Speed Super Junction MOSFETs
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列 DTMOSIV-H
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 61.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 3.1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 135nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6500pF @ 300V
Vgs(最大值) ±30V
FET 功能 超级结
功率耗散(最大值) 400W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 40 毫欧 @ 21A,10V
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247
封装/外壳 TO-247-3
 
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其它资源
标准包装 ? 30
其它名称 TK62N60X,S1F(S
TK62N60XS1F

17:35:26 2/19/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 16.11000 16.11
10 14.49400 144.94
25 13.20520 330.13
100 11.91670 1,191.67
250 10.95048 2,737.62

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