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产品概览
Digi-Key 零件编号 TK31V60XLQCT-ND
现有数量 3,810
可立即发货
制造商

制造商零件编号

TK31V60X,LQ

描述 MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN
扩展描述 N-Channel 600V 30.8A (Ta) 240W (Tc) Surface Mount 5-DFN (8x8)
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 12 周
文档与媒体
数据列表 TK31V60X
特色产品 DTMOS4 High Speed Super Junction MOSFETs
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列 DTMOSIV-H
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 65nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3000pF @ 300V
Vgs(最大值) ±30V
FET 功能 超级结
功率耗散(最大值) 240W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 98 毫欧 @ 9.4A,10V
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 5-DFN(8x8)
封装/外壳 4-VSFN 裸露焊盘
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 TK31V60XLQCT

15:17:47 3/23/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 8.19000 8.19
10 7.30500 73.05
25 6.57440 164.36
100 5.99010 599.01
250 5.40580 1,351.45
500 4.85060 2,425.30
1,000 4.09086 4,090.86

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : TK31V60XLQTR-ND
  • 最低订购数量: 2,500
  • 现有数量: 2,500 - 立即发货
  • 单价: 3.77312
  • Digi-Reel® ? : TK31V60XLQDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 3,810 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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