添加至偏好
产品概览
Digi-Key 零件编号 SSM6N57NULFCT-ND
现有数量 5,905
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SSM6N57NU,LF

描述 MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 12 周
文档与媒体
数据列表 SSM6N57NU
特色产品 SSM6N55NU/SSM6N57NU MOSFETs
产品属性 选取全部项目
类别

分立半导体产品

家庭

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列 -
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
FET 功能 标准
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 46 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 310pF @ 10V
功率 - 最大值 1W
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 6-µDFN(2x2)
 
其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 SSM6N57NU,LFCT-ND
SSM6N57NULF(TCT
SSM6N57NULF(TCT-ND
SSM6N57NULFCT

23:55:19 12/5/2016

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 0.85000 0.85
10 0.66900 6.69
25 0.56440 14.11
100 0.45930 45.93
250 0.38060 95.15
500 0.31498 157.49
1,000 0.23622 236.22

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : SSM6N57NULFTR-ND
  • 最低订购数量: 3,000
  • 现有数量: 3,000 - 立即发货
  • 单价: 0.34213
  • Digi-Reel® ? : SSM6N57NULFDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 5,905 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
请发送您的反馈意见