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产品概览
Digi-Key 零件编号 SSM6N35FELMCT-ND
现有数量 4,715
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SSM6N35FE,LM

描述 MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 12 周
文档与媒体
数据列表 SSM6N35FE
Mosfets Prod Guide
产品培训模块 Small Signal MOSFET
产品属性 选取全部项目
类别

分立半导体产品

家庭

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列 -
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 50mA,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 9.5pF @ 3V
功率 - 最大值 150mW
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
供应商器件封装 ES6(1.6x1.6)
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 SSM6N35FE(TE85LF)CT
SSM6N35FE(TE85LF)CT-ND
SSM6N35FELMCT

08:09:03 12/3/2016

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 0.71000 0.71
10 0.51000 5.10
25 0.39720 9.93
100 0.30060 30.06
250 0.21268 53.17
500 0.17014 85.07
1,000 0.13043 130.43

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : SSM6N35FELMTR-ND
  • 最低订购数量: 4,000
  • 现有数量: 4,000 - 立即发货
  • 单价: 0.11011
  • Digi-Reel® ? : SSM6N35FELMDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 4,715 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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