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产品概览
Digi-Key 零件编号 SSM3K318RLFCT-ND
现有数量 6,209
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SSM3K318R,LF

描述 MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
扩展描述 N-Channel 60V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 16 周
文档与媒体
数据列表 SSM3K318R
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列 U-MOSIV
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 235pF @ 30V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 107 毫欧 @ 2A,10V
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23F
封装/外壳 SOT-23-3 扁平引线
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 SSM3K318RLFCT

13:18:00 3/25/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 0.76000 0.76
10 0.59900 5.99
25 0.50520 12.63
100 0.41100 41.10
250 0.34052 85.13
500 0.28182 140.91
1,000 0.21135 211.35

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : SSM3K318RLFTR-ND
  • 最低订购数量: 3,000
  • 现有数量: 6,000 - 立即发货
  • 单价: 0.18810
  • Digi-Reel® ? : SSM3K318RLFDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 6,209 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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