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产品概览
Digi-Key 零件编号 SSM3J338RLFTR-ND
现有数量
制造商

制造商零件编号

SSM3J338R,LF

描述 MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
扩展描述 P-Channel 12V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 16 周
文档与媒体
数据列表 SSM3J338R
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列 U-MOSVII
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 19.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1400pF @ 6V
Vgs(最大值) ±10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 17.6 毫欧 @ 6A,8V
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23F
封装/外壳 SOT-23-3 扁平引线
 
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其它资源
标准包装 ? 3,000
其它名称 SSM3J338R,LF(B
SSM3J338R,LF(T
SSM3J338RLFTR

08:34:58 3/25/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
3,000 0.16123 483.68
6,000 0.15146 908.73
15,000 0.14168 2,125.26
30,000 0.12996 3,898.75

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