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产品概览
Digi-Key 零件编号 296-37289-5-ND
现有数量 666
可立即发货

厂方库存 ?: 10,000
制造商

制造商零件编号

CSD19536KCS

描述 MOSFET N-CH 100V TO-220
扩展描述 N-Channel 100V 150A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 6 周
文档与媒体
数据列表 CSD19536KCS
特色产品 CSD19536KCS Power MOSFET
PCN 组件/产地 TO220 Pkg Qualification Add Assembly & Test Site 30/Oct/2015
制造商产品页 CSD19536KCS Specifications
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类别
制造商

Texas Instruments

系列 NexFET™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 150A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.2V @ 250µA
Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 153nC @ 10V
Vds 时的输入电容 (Ciss)(最大值) 12000pF @ 50V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 375W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2.7 毫欧 @ 100A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220-3
封装/外壳 TO-220-3
 
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其它资源
标准包装 ? 50
其它名称 296-37289-5

12:41:07 1/22/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 7.03000 7.03
10 6.31600 63.16
100 5.17470 517.47
500 4.40506 2,202.53
1,000 3.31706 3,317.06

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