添加至偏好
产品概览
Digi-Key 零件编号 497-13043-5-ND
现有数量 687
可立即发货
制造商

制造商零件编号

STY139N65M5

描述 MOSFET N-CH 650V 130A MAX247
扩展描述 N-Channel 650V 130A (Tc) 625W (Tc) Through Hole MAX247™
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 16 周
文档与媒体
数据列表 STY139N65M5
其它有关文件 STY139N65M5 View All Specifications
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

STMicroelectronics

系列 MDmesh™ V
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 130A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 363nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 15600pF @ 100V
Vgs(最大值) ±25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 625W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 17 毫欧 @ 65A,10V
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 MAX247™
封装/外壳 TO-247-3
 
您可能还对以下元器件感兴趣
  • IXFB150N65X2 - IXYS | IXFB150N65X2-ND DigiKey Electronics
  • IXFB150N65X2
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
  • 单价 38.43000
  • IXFB150N65X2-ND
  • DSI30-12AS - IXYS | DSI30-12ASCT-ND DigiKey Electronics
  • DSI30-12AS
  • IXYS
  • DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263
  • 单价 3.69000
  • DSI30-12ASCT-ND
其它资源
标准包装 ? 30
其它名称 497-13043-5

03:38:21 3/28/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 44.00000 44.00
10 40.58300 405.83
100 34.65550 3,465.55

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

请发送您的反馈意见