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产品概览
Digi-Key 零件编号 497-16127-5-ND
现有数量 360
可立即发货
制造商

制造商零件编号

STW65N65DM2AG

描述 MOSFET N-CH 650V 60A
扩展描述 N-Channel 650V 60A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 24 周
文档与媒体
数据列表 STW65N65DM2AG
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

STMicroelectronics

系列 汽车级,AEC-Q101,MDmesh™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5500pF @ 100V
Vgs(最大值) ±25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 446W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 30A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247
封装/外壳 TO-247-3
 
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其它资源
标准包装 ? 30
其它名称 497-16127-5

22:32:42 3/28/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 15.77000 15.77
10 14.25100 142.51
100 11.79810 1,179.81
500 10.27370 5,136.85

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