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Digi-Key 零件编号 497-15576-5-ND
现有数量 684
可立即发货
制造商

制造商零件编号

STW40N65M2

描述 MOSFET N-CH 650V 32A TO247
扩展描述 N-Channel 650V 32A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 10 周
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数据列表 STW40N65M2
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制造商

STMicroelectronics

系列 MDmesh™ M2
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 32A(Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 56.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 2355pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 250W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 99 毫欧 @ 16A,10V
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247
封装/外壳 TO-247-3
 
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其它资源
标准包装 ? 30
其它名称 497-15576-5

13:54:41 1/17/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 7.82000 7.82
10 7.02300 70.23
100 5.75430 575.43
500 4.89858 2,449.29
1,000 4.13133 4,131.33

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