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产品概览
Digi-Key 零件编号 497-12344-1-ND
现有数量 2,874
可立即发货
制造商

制造商零件编号

STQ2HNK60ZR-AP

描述 MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 7 周
文档与媒体
数据列表 STx2HNK60Z(x)
其它有关文件 STQ2HNK60ZR-AP View All Specifications
产品属性 选取全部项目
类别

分立半导体产品

家庭

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商

STMicroelectronics

系列 SuperMESH™
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET (Metal Oxide)
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 500mA(Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.8 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 280pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) *
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装 TO-92-3
 
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标准包装 ? 1

18:35:52 12/10/2016

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.24000 1.24
10 1.09000 10.90
100 0.83620 83.62
500 0.66104 330.52
1,000 0.52883 528.83

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