添加至偏好
产品概览
Digi-Key 零件编号 497-12344-1-ND
现有数量 2,449
可立即发货
制造商

制造商零件编号

STQ2HNK60ZR-AP

描述 MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
扩展描述 N-Channel 600V 500mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 16 周
文档与媒体
数据列表 STx2HNK60Z(x)
其它有关文件 STQ2HNK60ZR-AP View All Specifications
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

STMicroelectronics

系列 SuperMESH™
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 500mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 280pF @ 25V
Vgs(最大值) ±30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.8 欧姆 @ 1A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-92-3
封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
 
您可能还对以下元器件感兴趣
其它资源
标准包装 ? 1

11:45:00 3/27/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.29000 1.29
10 1.12900 11.29
100 0.86580 86.58
500 0.68440 342.20
1,000 0.54750 547.50

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

请发送您的反馈意见