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Digi-Key 零件编号 497-12937-5-ND
现有数量 2,689
可立即发货
制造商

制造商零件编号

STP45N65M5

描述 MOSFET N-CH 650V 35A TO220
扩展描述 N-Channel 650V 35A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 16 周
文档与媒体
数据列表 STB,F,P45N65M5
其它有关文件 STP45N65M5 View All Specifications
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类别
制造商

STMicroelectronics

系列 MDmesh™ V
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 91nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3375pF @ 100V
Vgs(最大值) ±25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 210W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 78 毫欧 @ 19.5A,10V
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3
 
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标准包装 ? 50
其它名称 497-12937-5

02:25:50 2/26/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 10.66000 10.66
10 9.63900 96.39
100 7.97980 797.98
500 6.94872 3,474.36
1,000 6.05212 6,052.12

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