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Digi-Key 零件编号 497-4338-5-ND
现有数量 167
可立即发货
制造商

制造商零件编号

STF11NM80

描述 MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
扩展描述 N-Channel 800V 11A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 10 周
文档与媒体
数据列表 STx11NM80
其它有关文件 STF11NM80 View All Specifications
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产品目录页面 1441 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

STMicroelectronics

系列 MDmesh™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 43.6nC @ 10V
Vds 时的输入电容 (Ciss)(最大值) 1630pF @ 25V
Vgs(最大值) ±30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 35W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 400 毫欧 @ 5.5A,10V
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220FP
封装/外壳 TO-220-3 整包
 
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  • 626-1031-ND
其它资源
标准包装 ? 50
其它名称 497-4338-5

20:33:13 1/19/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 8.76000 8.76
10 7.86200 78.62
100 6.44140 644.14
500 5.48348 2,741.74
1,000 4.62462 4,624.62

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