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产品概览
Digi-Key 零件编号 SCT2120AFC-ND
现有数量 987
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SCT2120AFC

描述 MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 18 周
文档与媒体
数据列表 SCT2120AF Datasheet
应用说明 SiC Power Devices and Modules
视频文件 ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology
产品属性 选取全部项目
类别

分立半导体产品

家庭

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商

Rohm Semiconductor

系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 SiCFET (Silicon Carbide)
漏源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 29A(Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 156 毫欧 @ 10A,18V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 3.3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 61nC @ 18V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1200pF @ 500V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) *
工作温度 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
 
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标准包装 ? 1,000

13:32:52 12/9/2016

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 14.27000 14.27
100 13.12350 1,312.35

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