添加至偏好
产品概览
Digi-Key 零件编号 RZM001P02T2LCT-ND
现有数量
制造商

制造商零件编号

RZM001P02T2L

描述 MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3
扩展描述 P-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 10 周
文档与媒体
数据列表 RZM001P02
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Rohm Semiconductor

系列 -
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.2V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 15pF @ 10V
Vgs(最大值) ±10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 150mW(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.8 欧姆 @ 100mA,4.5V
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 VMT3
封装/外壳 SOT-723
 
您可能还对以下元器件感兴趣
其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 RZM001P02T2LCT

02:08:29 2/28/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 0.36000 0.36
10 0.32400 3.24
25 0.23360 5.84
100 0.18150 18.15
250 0.11408 28.52
500 0.09722 48.61
1,000 0.06610 66.10
2,500 0.05962 149.06

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : RZM001P02T2LTR-ND
  • 最低订购数量: 8,000
  • 现有数量: 0
  • 单价: 0.05034
  • Digi-Reel® ? : RZM001P02T2LDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 0
  • 单价: Digi-Reel®
请发送您的反馈意见