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产品概览
Digi-Key 零件编号 RS1G120MNTBCT-ND
现有数量 7,558
可立即发货
制造商

制造商零件编号

RS1G120MNTB

描述 MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
扩展描述 N-Channel 40V 12A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 10 周
文档与媒体
数据列表 RS1G120MN
产品培训模块 MOSFETs for DC-DC Converter & Load Switch Applications
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Rohm Semiconductor

系列 -
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 570pF @ 20V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3W(Ta),25W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 16.2 毫欧 @ 12A,10V
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-HSOP
封装/外壳 8-PowerTDFN
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 RS1G120MNTBCT

15:11:12 2/27/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 0.79000 0.79
10 0.66100 6.61
25 0.57840 14.46
100 0.49580 49.58
250 0.42968 107.42
500 0.36358 181.79
1,000 0.28094 280.94

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : RS1G120MNTBTR-ND
  • 最低订购数量: 2,500
  • 现有数量: 5,000 - 立即发货
  • 单价: 0.24869
  • Digi-Reel® ? : RS1G120MNTBDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 7,558 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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