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产品概览
Digi-Key 零件编号 NVD5117PLT4GOSCT-ND
现有数量 10,870
可立即发货
制造商

制造商零件编号

NVD5117PLT4G

描述 MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
扩展描述 P-Channel 60V 11A (Ta), 61A (Tc) 4.1W (Ta), 118W (Tc) Surface Mount DPAK-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 19 周
文档与媒体
数据列表 NVD5117PL
PCN 设计/规格 Mold Compound Update 25/Feb/2015
Mold Compound Revision 24/Apr/2015
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

ON Semiconductor

系列 -
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),61A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 85nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 4.1W(Ta),118W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 29A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 DPAK-3
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 NVD5117PLT4GOSCT

18:22:20 3/29/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 3.57000 3.57
10 3.20100 32.01
100 2.57250 257.25
500 2.11354 1,056.77
1,000 1.75122 1,751.22

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  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 10,870 - 立即发货
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