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产品概览
Digi-Key 零件编号 NTZS3151PT1GOSCT-ND
现有数量 62,423
可立即发货
制造商

制造商零件编号

NTZS3151PT1G

描述 MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563
扩展描述 P-Channel 20V 860mA (Ta) 170mW (Ta) Surface Mount SOT-563
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 25 周
文档与媒体
数据列表 NTZS3151P
产品目录页面 1453 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

ON Semiconductor

系列 -
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 860mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.6nC @ 4.5V
Vds 时的输入电容 (Ciss)(最大值) 458pF @ 16V
Vgs(最大值) ±8V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 170mW(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 150 毫欧 @ 950mA,4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-563
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 NTZS3151PT1GOSCT

08:47:57 1/22/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 0.76000 0.76
10 0.56800 5.68
100 0.35410 35.41
500 0.24224 121.12
1,000 0.18634 186.34

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : NTZS3151PT1GOSTR-ND
  • 最低订购数量: 4,000
  • 现有数量: 56,000 - 立即发货
  • 单价: 0.16281
  • Digi-Reel® ? : NTZS3151PT1GOSDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 62,423 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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