添加至偏好
产品概览
Digi-Key 零件编号 NTS2101PT1GOSCT-ND
现有数量
制造商

制造商零件编号

NTS2101PT1G

描述 MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 29 周
文档与媒体
数据列表 NTS2101P
产品目录页面 1453 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别

分立半导体产品

家庭

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商

ON Semiconductor

系列 -
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET (Metal Oxide)
漏源极电压(Vdss) 8V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.4A(Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 6.4nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 640pF @ 8V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) *
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-70,SOT-323
供应商器件封装 SC-70-3(SOT323)
 
您可能还对以下元器件感兴趣
其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 NTS2101PT1GOSCT

02:23:20 12/11/2016

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 0.74000 0.74
10 0.55100 5.51
100 0.34340 34.34
500 0.23498 117.49
1,000 0.18074 180.74

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : NTS2101PT1GOSTR-ND
  • 最低订购数量: 3,000
  • 现有数量: 0
  • 单价: 0.15629
  • Digi-Reel® ? : NTS2101PT1GOSDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 0
  • 单价: Digi-Reel®
请发送您的反馈意见