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产品概览
Digi-Key 零件编号 NTMFS5832NLT1GOSCT-ND
现有数量 6,233
可立即发货

厂方库存 ?: 31,500
制造商

制造商零件编号

NTMFS5832NLT1G

描述 MOSFET N-CH 40V 110A SO-8FL
扩展描述 N-Channel 40V 20A (Ta), 111A (Tc) 3.1W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 32 周
文档与媒体
数据列表 NTMFS5832NL
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

ON Semiconductor

系列 -
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),111A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),96W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.2 毫欧 @ 20A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装/外壳 8-PowerTDFN,5 引线
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 NTMFS5832NLT1GOSCT

21:42:39 2/23/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.26000 1.26
10 1.10700 11.07
100 0.84850 84.85
500 0.67076 335.38

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : NTMFS5832NLT1GOSTR-ND
  • 最低订购数量: 1,500
  • 现有数量: 6,000 - 立即发货
    31,500 - 厂方库存 ?
  • 单价: 0.52098
  • Digi-Reel® ? : NTMFS5832NLT1GOSDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 6,233 - 立即发货
    31,500 - 厂方库存 ?
  • 单价: Digi-Reel®
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