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产品概览
Digi-Key 零件编号 NTD4858N-35GOS-ND
现有数量 656
可立即发货
制造商

制造商零件编号

NTD4858N-35G

描述 MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
扩展描述 N-Channel 25V 11.2A (Ta), 73A (Tc) 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) Through Hole I-Pak
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 19 周
文档与媒体
数据列表 NTD4858N
PCN 组件/产地 Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

ON Semiconductor

系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11.2A(Ta),73A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 19.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1563pF @ 12V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.3W(Ta),54.5W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 6.2 毫欧 @ 30A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 I-Pak
封装/外壳 TO-251-3 短截引线,IPak
 
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其它资源
标准包装 ? 75
其它名称 NTD4858N-35G-ND
NTD4858N-35GOS

02:17:10 2/26/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 0.90000 0.90
10 0.79100 7.91
100 0.60650 60.65
500 0.47946 239.73
1,000 0.38356 383.56

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